Справочник по планарным микросхемам

Обычно обозначаются как SOxx-150, SOxx-208 и SOxx-300 или пишут SOIC-xx и указывают какому чертежу он соответствует. При создании интегральных схем возникают дополнит. проблемы, связанные с размещением большого числа взаимосвязанных компонентов на одном кристалле с огранич. площадью пов-сти. Для их создания применяют пиролиз, реактивное (в кислородной среде) распыление кремния и др. процессы.

Треугольник в центре — прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги — выводы коллектора и эмиттера. Транзисторы этого типа имели граничную частоту усиления до 200 МГц и массово применялись в первых лампово-полупроводниковых телевизорах. Кремний вытеснил германий, а планарный процесс стал основной технологией производства транзисторов и сделал возможным создание монолитных интегральных схем.
Теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора создал в 1948—1950 годах Уильям Шокли. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с расстоянием между выводами 7.62 мм и широкая, с расстоянием между выводами 15.24 мм. Монтаж методом перевернутого кристалла позволяет располагать контактные площадки по всей площади кристалла, а не только по краям. В настоящее время активно развивается подход с размещением нескольких полупроводниковых кристаллов в едином корпусе, так называемая «Система-в-корпусе» (англ. Примеры запросов 12w 1A 1am 1f 1f9 1g 1p 2A 2f 6c 702 A6 A7 BR W07 a1 a2 a7w k72 s4 t04 w04 Ссылки на базы производителей Texas Ins. IRF Fairchild Поиск по маске Важной особенностью нашей базы является возможность распознавания частично повреждённой маркировки. Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 17 марта 2014; проверки требуют 46 правок. 1801ВМx — серия советских 16-разрядных однокристальных микропроцессоров. Пластину кремния разрезают на отдельные кристаллы, каждый из которых имеет транзисторную структуру.

Похожие записи: