Последовательная схема включения моп транзистора

последовательная схема включения моп транзистора
Рассмотрим следующую схему: При подаче питания напряжение на нагрузку проходит через защитный диод. Обычно это делается для индикации: лампочка либо светит, либо погашена. Это пороговое напряжение затвор-исток, при превышении которого транзистор начнет открываться. Т. е. при напряжении на затворе выше VGS(th) транзистор MOSFET начинает проводить ток через канал сток-исток. Однако ток обратного восстановления в диоде увеличивается с температурой, так что температурные эффекты внешнего диода (это может быть дискретный диод, или внутренний диод в MOSFET или FREDFET) влияют на потери включения мощных схем. Новосибирск, «Наука», 1970. Мергнер Л. Улучшение приёма ЧМ передач при использовании pin диодов и полевых транзисторов.- «Электроника», 1966, № 17. Игнатов А. Н. Применение полевых транзисторов типа КП103 в аппаратуре связи. — В кн.: Тенденции развития активных радиокомпонентов малой мощности. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.Схема включения с общим эмиттером Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной.


Обратите внимание на входной ток биполярного транзистора — 0.3 мА, этот ток в основном определяется сопротивлением резистора R1. Причина проста: на входе у биполярного транзистора имеется эмиттерный переход, который по сути обыкновенный диод, смещенный в прямом направлении. База выполняет те же функции, что и затвор, коллектор соответствует стоку, а эмиттер соответствует истоку. Расширение канала транзистора (при положительном напряжении на затворе относительно истока) уменьшает потери на прохождение обратного тока стока, потому что электроны проходят через канал в дополнение к электронам и неосновным носителям, проходящим через body diode. Вследствие этого верхние ПТУП-транзисторы остаются включенными в течение более длительного времени, чем нижние ПТУП-транзисторы, и соответственно, верхние ПТУП-транзисторы выключаются медленнее. Результаты показаны на рис. 20. Из рисунков ясно, что хотя 9 А прямого тока через диод привели к более высоким значениям начального запасенного заряда, чем 2 А (прямого тока через диод), запасенный заряд был удален более эффективно в случае нахождения канала транзистора во включенном состоянии. Коэффициент h21э, как правило, несколько больше, чем β, хотя при расчетах в первом приближении можно пользоваться и им.

При изменении входного напряжении амплитуда выходного напряжения поддерживалась постоянной, а его действующее значение лишь незначительно отставало от действующего значения входного напряжения[43][42]. Задание напряжений срабатывания реле. Само собой разумеется, что MOSFET и FREDFET (в некотором смысле) устойчивы к перегрузке по току. [Обзор параметров даташита. Второе измерение (рис. 12) было проведено с включением канала транзистора за 1 мкс до того, как прямой ток был выключен, и выключением канала транзистора за 300 нс до подачи обратного напряжения. Они должны удовлетворяться требованиям характеристик момента/скорости вращения, при условии ограниченного количества используемого материала, места и цены.

Похожие записи: